S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>TPW2900ENH,L1Q
TPW2900ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： TPW2900ENH,L1Q
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 16643
描述： PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
G15
G15
Goford Semiconductor
G700P06D3
G700P06D3
Goford Semiconductor
G25N06K
G25N06K
Goford Semiconductor
G050N03S
G050N03S
Goford Semiconductor
AOT264L
AOT264L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    TPW2900ENH,L1Q
  • 库存数量
    16643
  • 系列
    U-MOSVIII-H
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    33A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    29 毫欧 @ 16.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    22 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2200 pF @ 100 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    800mW（Ta），142W（Tc）
  • 工作温度
    150°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    8-DSOP Advance
  • 封装/外壳
    8-PowerWDFN