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PSMN8R5-108ESQ
NXP USA Inc.
制造商产品编号： PSMN8R5-108ESQ
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 54752
描述： MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
立即询价： 0755-75583299131
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NXP USA Inc.
  • 制造商
    NXP USA Inc.
  • 制造商产品编号
    PSMN8R5-108ESQ
  • 库存数量
    54752
  • 系列
  • 包装
    管件
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    108 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    100A（Tj）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    8.5 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    111 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    5512 pF @ 50 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    263W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    I2PAK
  • 封装/外壳
    TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA