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PMN28UN,165
NXP USA Inc.
制造商产品编号： PMN28UN,165
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 28931
描述： MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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NXP USA Inc.
  • 制造商
    NXP USA Inc.
  • 制造商产品编号
    PMN28UN,165
  • 库存数量
    28931
  • 系列
    TrenchMOS?
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    5.7A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    34 毫欧 @ 2A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    700mV @ 1mA（典型值）
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    10.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）
    ±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    740 pF @ 10 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    1.75W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    SC-74
  • 封装/外壳
    SC-74，SOT-457