PHK4NQ10T,518
NXP USA Inc.
制造商产品编号：
PHK4NQ10T,518
库存数量：
21366
描述：
MOSFET N-CH 100V 8SO
立即询价：
0755-75583299131
联系我们：
info@springic.net
-
制造商
NXP USA Inc.
-
制造商产品编号
PHK4NQ10T,518
-
库存数量
21366
-
系列
TrenchMOS?
-
包装
卷带（TR）
-
FET 类型
N 通道
-
技术
MOSFET（金属氧化物）
-
漏源电压（Vdss）
100 V
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 4A，10V
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
-
Vgs（最大值）
±20V
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 25 V
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
-
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
安装类型
表面贴装型
-
供应商器件封装
8-SO
-
封装/外壳
-
