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FDC5614P-G
onsemi
制造商产品编号： FDC5614P-G
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 85666
描述： MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
立即询价： 0755-75583299131
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onsemi
  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    FDC5614P-G
  • 库存数量
    85666
  • 系列
    PowerTrench?
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    105 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    24 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    759 pF @ 30 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    800mW（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    SuperSOT?-6
  • 封装/外壳
    SOT-23-6 细型，TSOT-23-6