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网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>PJD3NA80_L2_00001
PJD3NA80_L2_00001
Panjit International Inc.
制造商产品编号： PJD3NA80_L2_00001
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 4180
描述： 800V N-CHANNEL MOSFET
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
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Panjit International Inc.
  • 制造商
    Panjit International Inc.
  • 制造商产品编号
    PJD3NA80_L2_00001
  • 库存数量
    4180
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    11 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    406 pF @ 25 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    80W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    TO-252
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63