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IGLD60R190D1AUMA1
Infineon Technologies
制造商产品编号： IGLD60R190D1AUMA1
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 48087
描述： MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    IGLD60R190D1AUMA1
  • 库存数量
    48087
  • 系列
    CoolGaN?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    10A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1，6V @ 960μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
  • Vgs（最大值）
    -10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    157 pF @ 400 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    62.5W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    PG-LSON-8-1
  • 封装/外壳
    8-LDFN 裸焊盘