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SIRA90ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号: SIRA90ADP-T1-GE3
产品分类: 单 FET,MOSFET
库存数量: 61161
描述: MOSFET N-CH 30V 71A/334A PPAK
规格书: 立即下载

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  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SIRA90ADP-T1-GE3
  • 库存数量
    61161
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    剪切带(CT)
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
    30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    71A(Ta),334A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    0.78 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    195 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)
    +20V,-16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    9120 pF @ 15 V
  • FET 功能
  • 功率耗散(最大值)
    6.3W(Ta),104W(Tc)
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳
    PowerPAK? SO-8