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TPCC8105,L1Q(CM
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号: TPCC8105,L1Q(CM
产品分类: 单 FET,MOSFET
库存数量: 16759
描述: MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON

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Infineon Technologies
  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    TPCC8105,L1Q(CM
  • 库存数量
    16759
  • 系列
    U-MOSVI
  • 包装
    卷带(TR)
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
    30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    23A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
    4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    7.8 毫欧 @ 11.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    2V @ 500μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    76 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)
    +20V,-25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    3240 pF @ 10 V
  • FET 功能
  • 功率耗散(最大值)
    700mW(Ta),30W(Tc)
  • 工作温度
    150°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    8-TSON Advance(3.3x3.3)
  • 封装/外壳
    8-VDFN 裸露焊盘