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SCTWA35N65G2VAG
STMicroelectronics
制造商产品编号： SCTWA35N65G2VAG
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 78675
描述： SICFET N-CH 650V 45A TO247
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    STMicroelectronics
  • 制造商产品编号
    SCTWA35N65G2VAG
  • 库存数量
    78675
  • 系列
  • 包装
    管件
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）
    650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    45A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    18V，20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    72毫欧 @ 20A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    73 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）
    +20V，-5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1370 pF @ 400 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    208W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-247 长引线
  • 封装/外壳
    TO-247-3