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网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>SCT10N120H
SCT10N120H
STMicroelectronics
制造商产品编号： SCT10N120H
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 26955
描述： SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    STMicroelectronics
  • 制造商产品编号
    SCT10N120H
  • 库存数量
    26955
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）
    1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    12A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    690 毫欧 @ 6A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    22 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）
    +25V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    290 pF @ 400 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    150W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 200°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    H2Pak-2
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB