S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>STL180N6F7
STL180N6F7
STMicroelectronics
制造商产品编号： STL180N6F7
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 93885
描述： MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
TSM10N60CZ C0G
TSM10N60CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM22P10CI C0G
TSM22P10CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM22P10CZ C0G
TSM22P10CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM230N06CI C0G
TSM230N06CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM230N06CZ C0G
TSM230N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
  • 制造商
    STMicroelectronics
  • 制造商产品编号
    STL180N6F7
  • 库存数量
    93885
  • 系列
    STripFET? F7
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    32A（Ta），120A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    2.4 毫欧 @ 16A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    79.5 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    4825 pF @ 25 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    4.8W（Ta），166W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    PowerFlat?（5x6）
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN