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DMN62D0LFD-13
Diodes Incorporated
制造商产品编号: DMN62D0LFD-13
产品分类: 单 FET,MOSFET
库存数量: 36162
描述: MOSFET N-CH SOT23

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Diodes Incorporated
  • 制造商
    Diodes Incorporated
  • 制造商产品编号
    DMN62D0LFD-13
  • 库存数量
    36162
  • 系列
  • 包装
    卷带(TR)
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
    60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    310mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
    1.8V,4V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    2 欧姆 @ 100mA,4V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    0.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    31 pF @ 25 V
  • FET 功能
  • 功率耗散(最大值)
    480mW(Ta)
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    X1-DFN1212-3
  • 封装/外壳
    3-UDFN