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网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>TSM130NB06LCR
TSM130NB06LCR
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号： TSM130NB06LCR
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 65187
描述： MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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Central Semiconductor Corp
  • 制造商
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • 制造商产品编号
    TSM130NB06LCR
  • 库存数量
    65187
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    10A（Ta），51A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    13 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    37 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2175 pF @ 30 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    3.1W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    8-PDFN（5x6）
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN