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网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>2SJ438(AISIN,A,Q)
2SJ438(AISIN,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： 2SJ438(AISIN,A,Q)
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 30399
描述： MOSFET P-CH TO220NIS
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    2SJ438(AISIN,A,Q)
  • 库存数量
    30399
  • 系列
  • 包装
    散装
  • FET 类型
  • 技术
  • 漏源电压（Vdss）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    5A（Tj）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
  • Vgs（最大值）
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
  • 工作温度
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-220NIS
  • 封装/外壳
    TO-220-3 整包