S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>IPP65R660CFDAAKSA1
IPP65R660CFDAAKSA1
Infineon Technologies
制造商产品编号： IPP65R660CFDAAKSA1
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 23160
描述： MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
IPI80P04P4L08AKSA1
IPI80P04P4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPL60R2K1C6SATMA1
IPL60R2K1C6SATMA1
Infineon Technologies
IPL65R190E6AUMA1
IPL65R190E6AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R310E6AUMA1
IPL65R310E6AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R420E6AUMA1
IPL65R420E6AUMA1
Infineon Technologies
  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    IPP65R660CFDAAKSA1
  • 库存数量
    23160
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS?
  • 包装
    管件
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    6A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    660 毫欧 @ 3.2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4.5V @ 200μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    20 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    543 pF @ 100 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    62.5W（Tc）
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    PG-TO220-3
  • 封装/外壳
    TO-220-3