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BSB012NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies
制造商产品编号： BSB012NE2LXIXUMA1
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 71668
描述： MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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Infineon Technologies
  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    BSB012NE2LXIXUMA1
  • 库存数量
    71668
  • 系列
    OptiMOS?
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    25 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    170A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    1.2 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    82 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    5852 pF @ 12 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    2.8W（Ta），57W（Tc）
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    MG-WDSON-2，CanPAK M?
  • 封装/外壳
    3-WDSON