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SI8809EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SI8809EDB-T2-E1
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 77009
描述： MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SI8809EDB-T2-E1
  • 库存数量
    77009
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    1.94（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    90 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    15 nC @ 8 V
  • Vgs（最大值）
    ±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    500mW（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    4-Microfoot
  • 封装/外壳
    4-XFBGA