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G5S12010BM
Global Power Technology Co. Ltd
制造商产品编号: G5S12010BM
产品分类: 二极管阵列
库存数量: 69252
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

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NXP USA Inc.
  • 制造商
    Global Power Technology Co. Ltd
  • 制造商产品编号
    G5S12010BM
  • 库存数量
    69252
  • 系列
  • 包装
    散装
  • 二极管配置
    1 对共阴极
  • 二极管类型
    碳化硅肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
    1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)
    19.35A(DC)
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
    1.7 V @ 5 A
  • 速度
    无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)
    0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
    50 μA @ 1200 V
  • 工作温度 - 结
    -55°C ~ 175°C
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商器件封装
    TO-247AB