S
P
R
I
N
G
I
C
选择语言:
中文
English
需要帮助?
0755-75583299131
关于我们
联系我们
全部产品分类
添加收藏
Tel
0755-75583299131
Email
info@springic.net
产 品 分 类
集成电路
集成电路
存储器
控制器
专用IC
嵌入式
接口
数据采集
时钟/定时
电源管理（PMIC）
线性
逻辑
音频专用
RF/IF，射频/中频和 RFID
RF/IF，射频/中频和 RFID
RF 其它 IC 和模块
RF 功率分配器/分线器
RF 功率控制器 IC
RF 天线
RF 定向耦合器
RF 解调器
RF 调制器
RF 配件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
RFI 和 EMI - 触头，簧片和衬垫
RFID 天线
RFID 应答器、标签
RFID 读取器模块
RFID 配件
RFID，射频接入，监控 IC
射频前端（LNA + PA）
射频发射器
射频多路复用器
射频屏蔽
射频开关
射频接收器
射频接收器、发射器、收发器成品
射频收发器 IC
射频收发器模块和调制解调器
射频放大器
射频检测器
射频混频器
射频环行器和隔离器
巴伦转换器 ，平衡-不平衡转换器
用户识别模块（SIM）卡
衰减器
电容器
电容器
云母和 PTFE 电容器
双电层电容器（EDLC），超级电容器
微调器，可变电容器
氧化铌电容器
电容器网络，阵列
硅电容器
薄膜电容器
配件
钽 - 聚合物电容器
钽电容器
铝 - 聚合物电容器
铝电解电容器
陶瓷电容器
电阻器
电阻器
底座安装电阻器
片式电阻器 - 表面贴装
特种电阻器
电阻器网络，阵列
通孔式电阻器
配件
分立半导体产品
分立半导体产品
DIAC，SIDAC
FET、MOSFET 阵列
IGBT 模块
IGBT 阵列
JFET
RF FET，MOSFET
SCR 模块
SCR
二极管阵列
功率驱动器模块
单 FET，MOSFET
单 IGBT
单二极管
单双极晶体管
单齐纳二极管
单，预偏置双极晶体管
双向可控硅
双极射频晶体管
双极晶体管阵列
双极晶体管阵列，预偏置
可变电容（变容器，可变电抗器）
可编程单结
射频
桥式整流器
特殊用途
电流调节 - 二极管，晶体管
齐纳二极管阵列
隔离器
隔离器
光隔离器 - 双向可控硅，SCR 输出
光隔离器 - 晶体管，光电输出
光隔离器 - 逻辑输出
数字隔离器
特殊用途
隔离器 - 栅极驱动器
继电器
继电器
I/O 继电器模块
I/O 继电器模块机架
信号继电器，高达 2 A
功率继电器，高于 2 A
固态继电器
安全继电器
接触器（固态）
接触器（机电）
汽车继电器
磁簧继电器
继电器插座、插槽
继电器配件
高频（RF）继电器
晶体，振荡器，谐振器
晶体，振荡器，谐振器
VCO（压控振荡器）
可编程振荡器
引脚可配置/可选择振荡器
振荡器
晶体
独立编程器
谐振器
配件
网站首页
产品中心
品牌制造商
解决方案
消费电子
工业工艺
车规元件
航天/军工
新闻资讯
行业资讯
企业动态
关于我们
联系我们
满额免运费！
网站首页
>
产品中心
>
分立半导体产品
>
RF FET，MOSFET
>
MRFE6VP5600HSR6
MRFE6VP5600HSR6
NXP USA Inc.
制造商产品编号：
MRFE6VP5600HSR6
产品分类：
RF FET，MOSFET
库存数量：
61351
描述：
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
立即询价：
0755-75583299131
联系我们：
info@springic.net
为您推荐
MRF8P26080HSR5
NXP USA Inc.
查看详情
MRF8P29300HR5
NXP USA Inc.
查看详情
MRF8P29300HSR6
NXP USA Inc.
查看详情
MRF8P8300HR6
NXP USA Inc.
查看详情
MRF8P8300HSR5
NXP USA Inc.
查看详情
产品详情
制造商
NXP USA Inc.
制造商产品编号
MRFE6VP5600HSR6
库存数量
61351
系列
包装
卷带（TR）
晶体管类型
LDMOS（双）
频率
230MHz
增益
25dB
电压 - 测试
50 V
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
100 mA
功率 - 输出
600W
电压 - 额定
130 V
封装/外壳
NI-1230-4S
供应商器件封装
NI-1230-4S
