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网站首页>产品中心>分立半导体产品>JFET>2SK545-11D-TB-E
2SK545-11D-TB-E
onsemi
制造商产品编号： 2SK545-11D-TB-E
产品分类： JFET
库存数量： 54141
描述： JFET N-CH 1MA 125MW CP
规格书： 立即下载
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  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    2SK545-11D-TB-E
  • 库存数量
    54141
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 通道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
  • 漏源电压（Vdss）
    40 V
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
    60 μA @ 10 V
  • 漏极电流 (Id) - 最大值
    1 mA
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
    1.5 V @ 1 μA
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1.7pF @ 10V
  • 电阻 - RDS(On)
  • 功率 - 最大值
    125 mW
  • 工作温度
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装
    SMCP