S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>IGBT 模块>VS-150MT060WDF-P
VS-150MT060WDF-P
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
制造商产品编号： VS-150MT060WDF-P
产品分类： IGBT 模块
库存数量： 20849
描述： IGBT MOD 600V 138A 12MTP PRESS
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
F475R12KS4B11BOSA1
F475R12KS4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4B11BOSA1
FP75R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP75R17N3E4BPSA1
FP75R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
FD400R07PE4RB6BOSA1
FD400R07PE4RB6BOSA1
Infineon Technologies
  • 制造商
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • 制造商产品编号
    VS-150MT060WDF-P
  • 库存数量
    20849
  • 系列
  • 包装
    管件
  • IGBT 类型
  • 配置
    双路降压斩波器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    138 A
  • 功率 - 最大值
    543 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2.48V @ 15V，80A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    100 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)
    14 nF @ 30 V
  • 输入
    标准
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    12-MTP 模块
  • 供应商器件封装
    12-MTP 压入