S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>IGBT 模块>FF800R12KE3NOSA1
FF800R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
制造商产品编号： FF800R12KE3NOSA1
产品分类： IGBT 模块
库存数量： 35485
描述： IGBT MOD 1200V 1200A 3900W
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
DF80R12W2H3_B11
DF80R12W2H3_B11
Infineon Technologies
FF200R12MT4BOMA1
FF200R12MT4BOMA1
Infineon Technologies
FF225R12ME4B11BPSA1
FF225R12ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
FF225R17ME4B11BOSA1
FF225R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12KT4BOSA1
FP35R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    FF800R12KE3NOSA1
  • 库存数量
    35485
  • 系列
  • 包装
    散装
  • IGBT 类型
  • 配置
    单路
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    1200 A
  • 功率 - 最大值
    3900 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2.15V @ 15V，800A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    5 mA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)
    57 nF @ 25 V
  • 输入
    标准
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 工作温度
    -40°C ~ 125°C
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    模块