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网站首页>产品中心>分立半导体产品>IGBT 模块>IFS100B12N3E4_B39
IFS100B12N3E4_B39
Infineon Technologies
制造商产品编号： IFS100B12N3E4_B39
产品分类： IGBT 模块
库存数量： 20355
描述： IGBT MOD 1200V 100A 515W
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    IFS100B12N3E4_B39
  • 库存数量
    20355
  • 系列
  • 包装
    散装
  • IGBT 类型
    沟槽型场截止
  • 配置
    三相反相器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    100 A
  • 功率 - 最大值
    515 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2.1V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    1 mA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)
    6.3 nF @ 25 V
  • 输入
    标准
  • NTC 热敏电阻
    是
  • 工作温度
    175°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    模块