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BSM75GB170DN2HOSA1
Infineon Technologies
制造商产品编号： BSM75GB170DN2HOSA1
产品分类： IGBT 模块
库存数量： 36554
描述： IGBT MOD 1700V 110A 625W
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    BSM75GB170DN2HOSA1
  • 库存数量
    36554
  • 系列
  • 包装
    托盘
  • IGBT 类型
  • 配置
    半桥
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    1700 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    110 A
  • 功率 - 最大值
    625 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    3.9V @ 15V，75A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)
    11 nF @ 25 V
  • 输入
    标准
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    模块