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VS-GT100TP120N
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
制造商产品编号： VS-GT100TP120N
产品分类： IGBT 模块
库存数量： 37375
描述： IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • 制造商产品编号
    VS-GT100TP120N
  • 库存数量
    37375
  • 系列
  • 包装
    散装
  • IGBT 类型
    沟道
  • 配置
    半桥
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    180 A
  • 功率 - 最大值
    652 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2.35V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    5 mA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)
    12.8 nF @ 30 V
  • 输入
    标准
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 工作温度
    175°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    INT-A-PAK（3 + 4）
  • 供应商器件封装
    INT-A-PAK