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NXH200T120H3Q2F2STNG
onsemi
制造商产品编号： NXH200T120H3Q2F2STNG
产品分类： IGBT 模块
库存数量： 95090
描述： 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE W
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    NXH200T120H3Q2F2STNG
  • 库存数量
    95090
  • 系列
  • 包装
    托盘
  • IGBT 类型
    沟槽型场截止
  • 配置
    半桥
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    330 A
  • 功率 - 最大值
    679 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2.3V @ 15V，200A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    500 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)
    35.615 nF @ 25 V
  • 输入
    标准
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    56-PIM/Q2PACK（93x47）