S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

满额免运费!

VS-ETF150Y65N
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
制造商产品编号: VS-ETF150Y65N
产品分类: IGBT 模块
库存数量: 27578
描述: IGBT MOD 650V 201A 600W
规格书: 立即下载

立即询价: 0755-75583299131
联系我们: info@springic.net
为您推荐
FZ2400R33HE4BPSA1
Infineon Technologies
FZ1800R45HL4BPSA1
Infineon Technologies
FZ1800R45HL4S7BPSA1
Infineon Technologies
APT50GF60JU2
Microchip Technology
FP10R12W1T7B11BOMA1
Infineon Technologies
  • 制造商
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • 制造商产品编号
    VS-ETF150Y65N
  • 库存数量
    27578
  • 系列
    FRED Pt?
  • 包装
  • IGBT 类型
    NPT
  • 配置
    半桥逆变器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
    650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
    201 A
  • 功率 - 最大值
    600 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)
    2.17V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)
  • 输入
    标准
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度
    175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    模块