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NXH80T120L3Q0S3G
onsemi
制造商产品编号： NXH80T120L3Q0S3G
产品分类： IGBT 模块
库存数量： 67045
描述： PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    NXH80T120L3Q0S3G
  • 库存数量
    67045
  • 系列
  • 包装
    托盘
  • IGBT 类型
    沟槽型场截止
  • 配置
    半桥
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    75 A
  • 功率 - 最大值
    188 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2.4V @ 15V，80A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    300 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)
    18.15 nF @ 20 V
  • 输入
    标准
  • NTC 热敏电阻
    是
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    20-PIM/Q0PACK（55x32.5）