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SI5511DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SI5511DC-T1-GE3
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 37416
描述： MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SI5511DC-T1-GE3
  • 库存数量
    37416
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    4A，3.6A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    55 毫欧 @ 4.8A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    7.1nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    435pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    3.1W，2.6W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装
    1206-8 ChipFET?