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TPC8212-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： TPC8212-H(TE12LQ,M
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 67756
描述： MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    TPC8212-H(TE12LQ,M
  • 库存数量
    67756
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    6A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    21 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    16nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    840pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    450mW
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
  • 供应商器件封装
    8-SOP（5.5x6.0）