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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>ALD110908SAL
ALD110908SAL
Advanced Linear Devices Inc.
制造商产品编号： ALD110908SAL
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 31406
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Advanced Linear Devices Inc.
  • 制造商产品编号
    ALD110908SAL
  • 库存数量
    31406
  • 系列
    EPAD?
  • 包装
    管件
  • FET 类型
    2 N 沟道（双）配对
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    10.6V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    12mA，3mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    500 欧姆 @ 4.8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    820mV @ 1μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2.5pF @ 5V
  • 功率 - 最大值
    500mW
  • 工作温度
    0°C ~ 70°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
  • 供应商器件封装
    8-SOIC