S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>NVMD4N03R2G
NVMD4N03R2G
onsemi
制造商产品编号： NVMD4N03R2G
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 51550
描述： MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
DMC4029SSDQ-13
DMC4029SSDQ-13
Diodes Incorporated
DMNH4015SSD-13
DMNH4015SSD-13
Diodes Incorporated
DMN15M3UCA6-7
DMN15M3UCA6-7
Diodes Incorporated
SH8M2TB1
SH8M2TB1
Rohm Semiconductor
DMTH8030LPDW-13
DMTH8030LPDW-13
Diodes Incorporated
  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    NVMD4N03R2G
  • 库存数量
    51550
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    4A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    60 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    16nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    400pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
    2W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
  • 供应商器件封装
    8-SOIC