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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>NVMFD5877NLT3G
NVMFD5877NLT3G
onsemi
制造商产品编号： NVMFD5877NLT3G
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 2461
描述： MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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Diodes Incorporated
  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    NVMFD5877NLT3G
  • 库存数量
    2461
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    6A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    39 毫欧 @ 7.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    20nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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  • 功率 - 最大值
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  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）