S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>DMT6018LDR-13
DMT6018LDR-13
Diodes Incorporated
制造商产品编号： DMT6018LDR-13
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 93896
描述： MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
QS6K21TR
QS6K21TR
Rohm Semiconductor
SI4936CDY-T1-E3
SI4936CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
DMTH4014LDVW-13
DMTH4014LDVW-13
Diodes Incorporated
DMTH4014LDVW-7
DMTH4014LDVW-7
Diodes Incorporated
DMN3016LDV-13
DMN3016LDV-13
Diodes Incorporated
  • 制造商
    Diodes Incorporated
  • 制造商产品编号
    DMT6018LDR-13
  • 库存数量
    93896
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    8.8A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    17 毫欧 @ 8.2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    13.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    869pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
    1.9W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装
    V-DFN3030-8