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MSCSM120DDUM16TBL3NG
Microchip Technology
制造商产品编号： MSCSM120DDUM16TBL3NG
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 71527
描述： PM-MOSFET-SIC-BL3
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Microchip Technology
  • 制造商产品编号
    MSCSM120DDUM16TBL3NG
  • 库存数量
    71527
  • 系列
  • 包装
    散装
  • FET 类型
    4 N 沟道，共源
  • FET 功能
    碳化硅（SiC）
  • 漏源电压（Vdss）
    1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    150A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    16 毫欧 @ 80A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.8V @ 6mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    464nC @ 20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    6040pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值
    560W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装