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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>PJQ2888_R1_00001
PJQ2888_R1_00001
Panjit International Inc.
制造商产品编号： PJQ2888_R1_00001
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 35367
描述： 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
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  • 制造商
    Panjit International Inc.
  • 制造商产品编号
    PJQ2888_R1_00001
  • 库存数量
    35367
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    1.5A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    325 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    2.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    150pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    1.25W（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-WFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装
    DFN2020-8