NDS9952A-F011
onsemi
制造商产品编号：
NDS9952A-F011
库存数量：
38245
描述：
MOSFET N/P-CH 30V
立即询价：
0755-75583299131
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制造商
onsemi
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制造商产品编号
NDS9952A-F011
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库存数量
38245
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系列
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包装
卷带（TR）
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FET 类型
N 和 P 沟道
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FET 功能
标准
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漏源电压（Vdss）
30V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 1A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 250μA
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不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
27nC @ 10V，5nC @ 10V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
320pF @ 10V
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功率 - 最大值
900mW（Ta）
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工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
表面贴装型
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封装/外壳
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供应商器件封装
8-SOIC
