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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>DF11MR12W1M1B11BOMA1
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
制造商产品编号： DF11MR12W1M1B11BOMA1
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 33063
描述： MOSFET MODULE 1200V 50A
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    DF11MR12W1M1B11BOMA1
  • 库存数量
    33063
  • 系列
  • 包装
    托盘
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    碳化硅（SiC）
  • 漏源电压（Vdss）
    1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    50A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    23 毫欧 @ 50A，15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    5.5V @ 20mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    125nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    3950pF @ 800V
  • 功率 - 最大值
    20mW
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    AG-EASY1BM-2