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TPD3215M
Transphorm
制造商产品编号： TPD3215M
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 16618
描述： GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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RJM0603JSC-00#13
RJM0603JSC-00#13
Renesas Electronics America Inc
  • 制造商
    Transphorm
  • 制造商产品编号
    TPD3215M
  • 库存数量
    16618
  • 系列
  • 包装
    散装
  • FET 类型
    2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能
    GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）
    600V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    70A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    34 毫欧 @ 30A，8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    28nC @ 8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2260pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
    470W
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    模块