S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>NVMFD5853NLT1G
NVMFD5853NLT1G
onsemi
制造商产品编号： NVMFD5853NLT1G
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 6175
描述： MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
CTLDM7120-M832DS TR
CTLDM7120-M832DS TR
Central Semiconductor Corp
BSL205NH6327XTSA1
BSL205NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL207NH6327XTSA1
BSL207NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL214NH6327XTSA1
BSL214NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL314PEH6327XTSA1
BSL314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    NVMFD5853NLT1G
  • 库存数量
    6175
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    12A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    10 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    23nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1100pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    3W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）