LN100LA-G
Microchip Technology
制造商产品编号：
LN100LA-G
库存数量：
4118
描述：
MOSFET 2N-CH 1200V
立即询价：
0755-75583299131
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制造商
Microchip Technology
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制造商产品编号
LN100LA-G
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库存数量
4118
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系列
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包装
卷带（TR）
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FET 类型
2 N-沟道（级联）
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FET 功能
标准
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漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3000 欧姆 @ 2mA，2.8V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 10μA
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不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 25V
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功率 - 最大值
350mW
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工作温度
-25°C ~ 125°C（TJ）
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安装类型
表面贴装型
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封装/外壳
6-VFLGA
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供应商器件封装
6-LFGA（3x3）
