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APTC90H12T1G
Microsemi Corporation
制造商产品编号： APTC90H12T1G
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 40461
描述： MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Microsemi Corporation
  • 制造商产品编号
    APTC90H12T1G
  • 库存数量
    40461
  • 系列
    CoolMOS?
  • 包装
    托盘
  • FET 类型
    4 N 沟道（半桥）
  • FET 功能
    超级结
  • 漏源电压（Vdss）
    900V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    30A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    120 毫欧 @ 26A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.5V @ 3mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    270nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    6800pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
    250W
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SP1
  • 供应商器件封装
    SP1