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IPG20N06S3L-35
Infineon Technologies
制造商产品编号: IPG20N06S3L-35
产品分类: FET、MOSFET 阵列
库存数量: 41609
描述: MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
规格书: 立即下载

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  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    IPG20N06S3L-35
  • 库存数量
    41609
  • 系列
    OptiMOS?
  • 包装
    卷带(TR)
  • FET 类型
    2 N-通道(双)
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)
    55V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    20A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    35 毫欧 @ 11A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    2.2V @ 15μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    23nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    1730pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    30W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装
    PG-TDSON-8-4