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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>BSD223P L6327
BSD223P L6327
Infineon Technologies
制造商产品编号： BSD223P L6327
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 35359
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    BSD223P L6327
  • 库存数量
    35359
  • 系列
    OptiMOS?
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    390mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.2V @ 1.5μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    0.62nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    56pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    250mW
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-VSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装
    PG-SOT363-PO