S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>SI7960DP-T1-GE3
SI7960DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SI7960DP-T1-GE3
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 94398
描述： MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
TPC8208(TE12L,Q,M)
TPC8208(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8405(TE12L,Q,M)
TPC8405(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCF8304(TE85L,F,M
TPCF8304(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8213-H(TE12LQ,M
TPC8213-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
SI6562DQ-T1-GE3
SI6562DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SI7960DP-T1-GE3
  • 库存数量
    94398
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    6.2A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    21 毫欧 @ 9.7A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    75nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
  • 功率 - 最大值
    1.4W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    PowerPAK? SO-8 双
  • 供应商器件封装
    PowerPAK? SO-8 双