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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>APTM20DHM08G
APTM20DHM08G
Microsemi Corporation
制造商产品编号： APTM20DHM08G
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 91026
描述： MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Microsemi Corporation
  • 制造商产品编号
    APTM20DHM08G
  • 库存数量
    91026
  • 系列
  • 包装
    散装
  • FET 类型
    2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    200V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    208A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    10 毫欧 @ 104A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    5V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    280nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    14400pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    781W
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SP6
  • 供应商器件封装
    SP6