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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>APTM10TDUM09PG
APTM10TDUM09PG
Microsemi Corporation
制造商产品编号： APTM10TDUM09PG
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 64384
描述： MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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Microsemi Corporation
  • 制造商
    Microsemi Corporation
  • 制造商产品编号
    APTM10TDUM09PG
  • 库存数量
    64384
  • 系列
  • 包装
    散装
  • FET 类型
    6 N-沟道（3 相桥）
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    139A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    10 毫欧 @ 69.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    350nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    9875pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    390W
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SP6
  • 供应商器件封装
    SP6-P