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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>ZXMHN6A07T8TA
ZXMHN6A07T8TA
Diodes Incorporated
制造商产品编号： ZXMHN6A07T8TA
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 88475
描述： MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Diodes Incorporated
  • 制造商产品编号
    ZXMHN6A07T8TA
  • 库存数量
    88475
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    4 N 沟道（半桥）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    1.4A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    300 毫欧 @ 1.8A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    3.2nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    166pF @ 40V
  • 功率 - 最大值
    1.6W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    SOT-223-8
  • 供应商器件封装
    SM8