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BSO612CVGHUMA1
Infineon Technologies
制造商产品编号： BSO612CVGHUMA1
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 79594
描述： MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    BSO612CVGHUMA1
  • 库存数量
    79594
  • 系列
    SIPMOS?
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    3A，2A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    120 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    15.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    340pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    2W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
  • 供应商器件封装
    PG-DSO-8